PESD12VL1BA,115

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PESD12VL1BA,115中文资料参数规格
技术参数

电容 19 pF

击穿电压 15.9 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 200 W

钳位电压 37 V

测试电流 5 mA

最大反向击穿电压 16.7 V

脉冲峰值功率 200 W

最小反向击穿电压 14.2 V

击穿电压 14.2 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1.05 mm

封装 SOD-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PESD12VL1BA,115
型号: PESD12VL1BA,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PESD12VL1BA,115  二极管, TVS, SOD-323, 整卷
替代型号PESD12VL1BA,115
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