FC117 PNP+PNP复合三极管 -20V -500mA HEF=160~560 SOT-163/CPH6 标记117 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -15V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -500MA/-0.5A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 400MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 160~560 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.56V 耗散功率Pc Power Dissipation | 200MW/0.2W 描述与应用 Description & Applications | PNP型硅外延平面复合晶体管 低频 通用放大器应用程序 PNP型硅外延平面复合晶体管,低频特性的通用放大器应用程序,复合类型2晶体管包含在当前使用的CP方案,大大提高安装效率。,形成有两个芯片,相当于2 sa1753,放置在一个包中。低发射极饱和电压。,优秀的热平衡 技术文档PDF下载 | 在线阅读
封装 SOT-163
封装 SOT-163
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO -20V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO -15V
集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC -500MA/-0.5A
截止频率fT Transtion FrequencyfT 400MHZ
直流电流增益hFE DC Current GainhFE 160~560
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage -0.56V
耗散功率Pc Power Dissipation 200MW/0.2W
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