BC857S

BC857S图片1
BC857S概述

BC857S PNP+PNP复合三极管 -50V -200mA HEF=125~630 SOT-363 标记3C 用于开关/数字电路

For AF input stages and driver applications

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Two galvanic internal isolated Transistors with good matching in one package


BC857S中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BC857S
型号: BC857S
制造商: Infineon 英飞凌
描述:BC857S PNP+PNP复合三极管 -50V -200mA HEF=125~630 SOT-363 标记3C 用于开关/数字电路
替代型号BC857S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC857S

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