SSV1BC847BPDW1T1

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SSV1BC847BPDW1T1概述

SSV1BC847BPDW1T1 PNP+NPN复合三极管 -50V/50V -100mA/100mA 200~475 SOT-363/SC-88 标记BF 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -45V/45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/100mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 200~475 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage| -250mA/250mA 耗散功率Pc Power Dissipation| 380mW Description & Applications| Features • Dual General Purpose Transistors • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
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描述与应用| 点 •双通用晶体管 •通过AEC-Q101认证和PPAP能力 •S汽车和其他应用程序需要独特的前缀网站和控制变更要求 •这些器件是无铅,无卤素免费/ BFR免费,并RoHS标准
SSV1BC847BPDW1T1中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO -50V/50V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO -45V/45V

集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC -100mA/100mA

截止频率fT Transtion FrequencyfT 100MHz

直流电流增益hFE DC Current GainhFE 200~475

管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage -250mA/250mA

耗散功率Pc Power Dissipation 380mW

规格书PDF __

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SSV1BC847BPDW1T1
型号: SSV1BC847BPDW1T1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:SSV1BC847BPDW1T1 PNP+NPN复合三极管 -50V/50V -100mA/100mA 200~475 SOT-363/SC-88 标记BF 用于开关/数字电路

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