HN1B04F PNP+NPN复合三极管 -35V/35V -500mA/500mA HEF=70~400 SOT-163/SM6/SOT-26 标记50 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -35V/35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -30V/30V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -500mA/500mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200MHz/300MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 70~400/700~400 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -100mV/100mV 耗散功率Pc Power Dissipation | 300mW Description & Applications | Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process Q1: • Excellent hFE linearity : hFE2= 25 min at VCE = −6V, IC = −400mA Q2: • Excellent hFE linearity : hFE2 = 25 min at VCE = 6V, IC = 400mA • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • Driver Stage Amplifier Applications • Switching application 描述与应用 | 特点 •晶体管的硅PNP外延型硅NPN外延型（PCT工艺）（PCT工艺） Q1： •优秀的HFE线性：HFE（2）=25（分钟）在VCE=6V，IC=-400毫安 Q2： •优秀的HFE线性：HFE（2）=25（分钟）VCE=6V，IC=400毫安 •音频通用放大器应用 •驱动器级放大器的应用 •开关应用