INFINEON IRLML6402TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -3.7A, SOT-23
P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.70 A
额定功率 1.3 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
产品系列 IRLML6402
阈值电压 550 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -3.70 A
上升时间 48 ns
热阻 100℃/W RθJC
输入电容Ciss 633pF @10VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 381 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, Load Switch, 便携式器材, DC Switches, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLML6402TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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