NGTD17T65F2SWK

NGTD17T65F2SWK概述

NGTD17T65F2: IGBT 600V 40A FS2 裸片

IGBT Trench Field Stop 650 V Surface Mount Die


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IGBT 600V 40A FS2 裸片


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IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V Container


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V Container


NGTD17T65F2SWK中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 -

外形尺寸

封装 -

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NGTD17T65F2SWK
型号: NGTD17T65F2SWK
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:NGTD17T65F2: IGBT 600V 40A FS2 裸片

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