NGTD23T120F2WP

NGTD23T120F2WP概述

IGBT 晶体管 1200V/30A CJ52 FAST IGB

IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die


立创商城:
IGBT 1200V 25A FS2 裸片


得捷:
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE


贸泽:
IGBT 晶体管 1200V/30A CJ52 FAST IGB


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V WJAR


NGTD23T120F2WP中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 -

外形尺寸

封装 -

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NGTD23T120F2WP
型号: NGTD23T120F2WP
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:IGBT 晶体管 1200V/30A CJ52 FAST IGB

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