INFINEON IRFB3206PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 4 V
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,
### 电动机控制 MOSFET
Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
### 同步整流器 MOSFET
同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
立创商城:
N沟道 60V 120A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 210 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 60V 210A 3mOhm TO220-3 **
力源芯城:
60V,3mΩ,210A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.003 Ω
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 4 V
输入电容 6540 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 210A
上升时间 82 ns
输入电容Ciss 6540pF @50VVds
下降时间 83 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Battery Operated Drive, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRFB3206PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF1405PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFB3206PBF和IRF1405PBF的区别 |
IRFB3306PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFB3206PBF和IRFB3306PBF的区别 |
IRF2805PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFB3206PBF和IRF2805PBF的区别 |