IRFB3206PBF

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IRFB3206PBF概述

INFINEON  IRFB3206PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 4 V

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,

### 电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

### 同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装


立创商城:
N沟道 60V 120A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 210 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 60V 210A 3mOhm TO220-3 **


力源芯城:
60V,3mΩ,210A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB


IRFB3206PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.003 Ω

极性 N-CH

耗散功率 300 W

阈值电压 4 V

输入电容 6540 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 210A

上升时间 82 ns

输入电容Ciss 6540pF @50VVds

下降时间 83 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.02 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Battery Operated Drive, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRFB3206PBF
型号: IRFB3206PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFB3206PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 4 V
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