IRFH4253DTRPBF

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IRFH4253DTRPBF概述

INFINEON  IRFH4253DTRPBF.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 25V, 145A, PQFN-10

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 25V 64A,145A 31W,50W 表面贴装型 PQFN(5x6)


立创商城:
IRFH4253DTRPBF


得捷:
MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN


贸泽:
MOSFET 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A


e络盟:
INFINEON  IRFH4253DTRPBF.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 25V, 145A, PQFN-10


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V/25V 64A/145A 8-Pin DPQFN T/R


富昌:
Dual N-Channel 25 V 3.2 mΩ 10 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 145A; 50W; PQFN5X6


Newark:
# INFINEON  IRFH4253DTRPBF  Dual MOSFET, Dual N Channel, 145 A, 25 V, 900 µohm, 10 V, 1.6 V


IRFH4253DTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 50 W

通道数 2

针脚数 10

极性 Dual N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 64A/145A

输入电容Ciss 1314pF @13VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PQFN-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 0.9 mm

封装 PQFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Point of Load

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFH4253DTRPBF
型号: IRFH4253DTRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFH4253DTRPBF.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 25V, 145A, PQFN-10
替代型号IRFH4253DTRPBF
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