IRF1407PBF

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IRF1407PBF概述

INFINEON  IRF1407PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 75 V, 7.8 mohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 75 V 130A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB


欧时:
MOSFET N-Ch 75V 130A HEXFET TO-220AB


立创商城:
N沟道 75V 130A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 0.0078Ohm; ID 130A; TO-220AB; PD 330W; VGS +/-20


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 130A 3-Pin3+Tab TO-220AB


富昌:
单 N 沟道 75 V 330 W 160 nC Hexfet 功率 Mosfet 法兰安装 - TO-220AB


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 130A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  IRF1407PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 130 A, 75 V, 7.8 mohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB


IRF1407PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 330 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 4 V

输入电容 5600pF @25V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 130A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 5600pF @25VVds

额定功率Max 330 W

下降时间 140 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

制造应用 Power Management, 电机驱动与控制, Consumer Full-Bridge, 车用, Full-Bridge, Automotive, Push-Pull, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF1407PBF
型号: IRF1407PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRF1407PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 75 V, 7.8 mohm, 10 V, 4 V
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