NVMFS5830NLT1G

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NVMFS5830NLT1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 3.8W Ta, 158W Tc

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 5880pF @25VVds

下降时间 27 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 158W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SO-FL-8

外形尺寸

封装 SO-FL-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NVMFS5830NLT1G
型号: NVMFS5830NLT1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8Pin SO-FL T/R

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