NTMFS5C430NT1G

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NTMFS5C430NT1G概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 185 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.5 V

N-Channel 40V 35A Ta, 185A Tc 3.8W Ta, 106W Tc Surface Mount 5-DFN 5x6 8-SOFL


欧时:
Power MOSFET N-Ch 40V 185A DFN-5


得捷:
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN


立创商城:
NTMFS5C430NT1G


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 185 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NTMFS5C430NT1G  MOSFET, N-CH, 40V, 185A, DFN New


NTMFS5C430NT1G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 0.0014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 106 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 3300pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 106W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DFN-5

外形尺寸

封装 DFN-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NTMFS5C430NT1G
型号: NTMFS5C430NT1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 185 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.5 V

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