NVB5426NT4G参数规格_中文资料_数据手册PDF

NVB5426NT4G概述

功率MOSFET 120安培， 60伏特N沟道D2PAK ， TO- 220 Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220

N-Channel 60V 120A Tc 215W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

贸泽:
MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

NVB5426NT4G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 215W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 5800pF @25VVds

耗散功率Max 215W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NVB5426NT4G

型号： NVB5426NT4G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率MOSFET 120安培， 60伏特N沟道D2PAK ， TO- 220 Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220