INFINEON IRF3205STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
立创商城:
N沟道 55V 110A
贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON IRF3205STRLPBF MOSFET Transistor, N Channel, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 55V 110A 8mOhm TO263 **
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
额定功率 200 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 4 V
输入电容 3247 pF
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 101 ns
输入电容Ciss 3247pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRF3205STRLPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF3205SPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF3205STRLPBF和IRF3205SPBF的区别 |
IRF3205STRRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF3205STRLPBF和IRF3205STRRPBF的区别 |