IRF3205STRLPBF

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IRF3205STRLPBF概述

INFINEON  IRF3205STRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


立创商城:
N沟道 55V 110A


贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  IRF3205STRLPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 55V 110A 8mOhm TO263 **


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK


IRF3205STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

输入电容 3247 pF

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 101 ns

输入电容Ciss 3247pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF3205STRLPBF
型号: IRF3205STRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRF3205STRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
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