IRFB3207PBF

N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220AB

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3207PBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装

立创商城:
N沟道 75V 170A

得捷:
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

贸泽:
MOSFET MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 3.6 Milliohms; ID 180A; TO-220AB; PD 330W; -55de

安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 75 V, 0.0036 ohm, 10 V, 4 V

Win Source:
MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB