IRL3803PBF

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IRL3803PBF概述

INFINEON  IRL3803PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V

N 通道功率 MOSFET,30V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB


欧时:
Infineon LogicFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3803PBF, 140 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装


立创商城:
IRL3803PBF


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin3+Tab TO-220AB


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  IRL3803PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB


IRL3803PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 150 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.006 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 140A

上升时间 230 ns

输入电容Ciss 5000pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

制造应用 Power Management, Commercial, 工业, 商业, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

IRL3803PBF引脚图与封装图
IRL3803PBF引脚图
IRL3803PBF封装焊盘图
在线购买IRL3803PBF
型号: IRL3803PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRL3803PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
替代型号IRL3803PBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRL3803PBF

Infineon 英飞凌

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