INFINEON IRL3803PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
N 通道功率 MOSFET,30V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
欧时:
Infineon LogicFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3803PBF, 140 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
立创商城:
IRL3803PBF
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin3+Tab TO-220AB
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON IRL3803PBF MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
额定功率 150 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.006 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 140A
上升时间 230 ns
输入电容Ciss 5000pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
制造应用 Power Management, Commercial, 工业, 商业, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRL3803PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRL3803 英飞凌 | 类似代替 | IRL3803PBF和IRL3803的区别 |
IRL3803LPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRL3803PBF和IRL3803LPBF的区别 |