2SD1001

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2SD1001概述

2SD1001 NPN三极管 80V 300mA/0.3A 140MHz 135~270 150mV/0.15V SOT-89 marking/标记 EL 音频功放应用

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 300mA/0.3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 140MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200~400 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial transistors description 2SD1007 is designed for audio frequency power amplifier application , especially in hybrid integrated circuits Features
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high collector to emitter voltage * world standard miniature package 描述与应用| NPN硅外延 描述 2SD1007是专为音频功放中的应用, 特别是在混合集成电路  特点 *高集电极到发射极电压 *世界标准的微型封装
2SD1001中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 80V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 80V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 300mA/0.3A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 140MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 135~270

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 150mV/0.15V

耗散功率PcPower Dissipation 2W

规格书PDF __

数据手册

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型号: 2SD1001
制造商: NEC 日本电气
描述:2SD1001 NPN三极管 80V 300mA/0.3A 140MHz 135~270 150mV/0.15V SOT-89 marking/标记 EL 音频功放应用

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