HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
极性 N-CH
耗散功率 294 W
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 197A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 10130pF @25VVds
下降时间 75 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 294W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
长度 10.54 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRFS7734-7PPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFS7734TRL7PP 英飞凌 | 功能相似 | IRFS7734-7PPBF和IRFS7734TRL7PP的区别 |