N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
汽车 N 通道功率 MOSFET，
Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFU4104, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
贸泽:
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 119A Automotive 3-Pin3+Tab IPAK Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; IPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
额定功率 140 W
通道数 1
漏源极电阻 0.0043 Ω
极性 N-CH
耗散功率 140 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 119A
上升时间 69 ns
输入电容Ciss 2950pF @25VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 7.49 mm
封装 TO-251-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
AUIRFU4104 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFU4104PBF 英飞凌 | 类似代替 | AUIRFU4104和IRFU4104PBF的区别 |