Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET 模块Wolfspeed(Cree Inc. 能源动力公司)碳化硅功率 MOSFET 模块。这些 SiC MOSFET 模块采用工业标准封装且提供半桥 2 MOSFET 和 3 相 6 MOSFET 格式;它们还包括 SiC 反向恢复二极管。 典型应用包括:感应加热、太阳能和风力反相器、直流 - 直流转换器、3 相 PFC、线路再生驱动器、UPS 和 SMPS、电动机驱动器和电池充电器。 MOSFET 断开尾线电流和二极管反向恢复电流为有效零。 超低损耗高频操作 因 SiC 特性而易于并联 常闭,故障安全操作 铜基板和氮化铝绝缘体,可降低热要求 ### MOSFET 晶体管,Wolfspeed
碳化硅功率 MOSFET 模块
Wolfspeed(Cree Inc. 能源动力公司)碳化硅功率 MOSFET 模块。这些 SiC MOSFET 模块采用工业标准封装且提供半桥 2 MOSFET 和 3 相 6 MOSFET 格式;它们还包括 SiC 反向恢复二极管。 典型应用包括:感应加热、太阳能和风力反相器、直流 - 直流转换器、3 相 PFC、线路再生驱动器、UPS 和 SMPS、电动机驱动器和电池充电器。
MOSFET 断开尾线电流和二极管反向恢复电流为有效零。
超低损耗高频操作
因 SiC 特性而易于并联
常闭,故障安全操作
铜基板和氮化铝绝缘体,可降低热要求
欧时:
Dual N-chan SiC MOSFET Module 1200V 138A
得捷:
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
贸泽:
分立半导体模块 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin Box
TME:
Module; transistor/transistor; Uds:1.2kV; Id:138A; 925W; screw
Newark:
MOSFET, DUAL N-CH, 1.2KV, 193A, MODULE
额定功率 925 W
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 925 W
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 1.2 kV
连续漏极电流Ids 193A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 6300pF @1000VVds
额定功率Max 925 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 925 W
引脚数 7
封装 Module
长度 106.4 mm
宽度 61.4 mm
高度 30 mm
封装 Module
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
制造应用 医用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17