INFINEON AUIRF2805 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V
汽车 N 通道功率 MOSFET,
Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2805, 175 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
e络盟:
INFINEON AUIRF2805 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 175A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON AUIRF2805 MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
额定功率 330 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 175A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 5110pF @25VVds
下降时间 110 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 330W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
AUIRF2805 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF2805PBF 英飞凌 | 类似代替 | AUIRF2805和IRF2805PBF的区别 |
IPP100N06S205AKSA1 英飞凌 | 功能相似 | AUIRF2805和IPP100N06S205AKSA1的区别 |
IRF2805 英飞凌 | 功能相似 | AUIRF2805和IRF2805的区别 |