AUIRF2805

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AUIRF2805概述

INFINEON  AUIRF2805  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V

汽车 N 通道功率 MOSFET,

Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2805, 175 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装


e络盟:
INFINEON  AUIRF2805  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 175A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  AUIRF2805  MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB


AUIRF2805中文资料参数规格
技术参数

额定功率 330 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0039 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 175A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 5110pF @25VVds

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.82 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买AUIRF2805
型号: AUIRF2805
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  AUIRF2805  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V
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