ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300, 122 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor
### MOSFET ,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300, 122 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
得捷:
MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
立创商城:
FDMS86300
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin Power 56 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
输入电容 5325 pF
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 5325pF @40VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 PowerTDFN-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free