FDMS86300

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FDMS86300概述

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300, 122 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300, 122 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装


得捷:
MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN


立创商城:
FDMS86300


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin Power 56 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8


FDMS86300中文资料参数规格
技术参数

输入电容 5325 pF

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 5325pF @40VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMS86300
型号: FDMS86300
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300, 122 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装

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