2SD1664概述
2SD1664 NPN三极管 40V 1A 150MHz 120~270 150mV/0.15V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 DAQ
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Medium Power Transistor 32V, 1A Features- .
- Low VCEsat, VCEsat = 0.15V typical. IC /IB = 500mA/50mA * Complements the 2SB1132 / 2SB1237. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用 | 中等功率晶体管（32V，1A） 特点 *低VCE（sat）的，VCE（饱和）=0.15V。 （IC / IB500mA/50mA） *补充 2SB1132/2SB1237。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
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型号： 2SD1664
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：2SD1664 NPN三极管 40V 1A 150MHz 120~270 150mV/0.15V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 DAQ
替代型号2SD1664
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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