2SD2211

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2SD2211概述

2SD2211 NPN三极管 160V 1.5A 80MHz 120~270 2V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 DQQ 功率晶体管

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 160V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 1.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 80MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 120~270 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 2V 耗散功率PcPower Dissipation | 2W Description & Applications | Power Transistor 160V , 1.5A Features 1 High breakdown voltage.BVCEO = 160V 2 Low collector output capacitance. Typ. 20pF at VCB = 10V 3 High transition frequency.fT = 80MHZ 4 Complements the 2SB1275 / 2SB1236A. 描述与应用 | 功率(160V,1.5A) 特点 1)高的击穿电压(BVCEO=160V)。 2)低集电极输出电容。 (典型值20pF的VCB=10V) 3)高转换频率(FT =80MHZ)。 4)补充2SB1275/2SB1236A的。

2SD2211中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 1.5A

封装参数

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD2211
型号: 2SD2211
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:2SD2211 NPN三极管 160V 1.5A 80MHz 120~270 2V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 DQQ 功率晶体管
替代型号2SD2211
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD2211

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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