2SB789-R

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2SB789-R概述

2SB789-R PNP三极管 -100V -500mA/-0.5A 120MHz 130~220 -200mV/-0.2V SOT-89/SC-62 marking/标记 DR 低频输出放大

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −100V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 130~220 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −200mV/-0.2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency driver amplification Complementary to 2SD968 and 2SD968A Features High collector to emitter voltage VCEO. Large collector power dissipation PC 描述与应用| 硅PNP外延刨床类型 对于低频驱动放大 2SD968互补和2SD968A 特点 高集电极发射极电压VCEO。 大集电极功耗PC

2SB789-R中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO -100V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO −100V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC −500mA/-0.5A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 120MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 130~220

管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage −200mV/-0.2V

耗散功率PcPoWer Dissipation 1W

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数据手册

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型号: 2SB789-R
制造商: Panasonic 松下
描述:2SB789-R PNP三极管 -100V -500mA/-0.5A 120MHz 130~220 -200mV/-0.2V SOT-89/SC-62 marking/标记 DR 低频输出放大

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