BCW61CLT1

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BCW61CLT1概述

BCW61CLT1 PNP三极管 -32V -100mA/-0.1A 250~460 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 BC

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~460 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 描述与应用| 通用晶体管


BCW61CLT1中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

数据手册

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型号: BCW61CLT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:BCW61CLT1 PNP三极管 -32V -100mA/-0.1A 250~460 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 BC

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