BCW61-C-MTF

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BCW61-C-MTF概述

BCW61-C-MTF PNP三极管 -32V -200mA/-0.2A 180MHz 250~460 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 BC

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~460 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| SOT23 PNP SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS 描述与应用| SOT23 PNP硅平面 小信号晶体管的


BCW61-C-MTF中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO −32V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO −32V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC −200mA/-0.2A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 180MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 250~460

管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage −250mV/-0.25V

耗散功率PcPoWer Dissipation 330mW/0.33W

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数据手册

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型号: BCW61-C-MTF
制造商: Samsung 三星
描述:BCW61-C-MTF PNP三极管 -32V -200mA/-0.2A 180MHz 250~460 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 BC

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