NTMFS6H801NT1G

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NTMFS6H801NT1G概述

NTMFS6H801NT1G 编带

Commercial Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Features |   | Benefits

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Small Footprint 5x6 mm

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Compact Design
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Low RDSon

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Minimize Conduction Losses
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Low QG and Capacitance

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Minimize Driver Losses
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Pb−Free

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RoHS Compliant
NTMFS6H801NT1G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 0.0023 Ω

耗散功率 3.8 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 74 ns

输入电容Ciss 4120pF @40VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SO-8FL

外形尺寸

封装 SO-8FL

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Battery management and protection, Switching power supplies, 48V systems, Power switches High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NTMFS6H801NT1G
型号: NTMFS6H801NT1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:NTMFS6H801NT1G 编带

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