IRFB7537PBF概述
INFINEON IRFB7537PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V
StrongIRFET™ 功率 MOSFET，
Infineon 的- .
- *StrongIRFE** 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
IRFB7537PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 230 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.00275 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 230 W
阈值电压 3.7 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 173A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 7020pF @25VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 84 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control, Motor Drive & Control, Power Management, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IRFB7537PBF
型号： IRFB7537PBF
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IRFB7537PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V