IRFS7537PBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFS7537PBF概述

INFINEON IRFS7537PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRFS7537PBF中文资料参数规格

技术参数

额定功率 230 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.00275 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

阈值电压 3.7 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 173A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 7020pF @25VVds

下降时间 84 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRFS7537PBF

型号： IRFS7537PBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON IRFS7537PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

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