FDP023N08B_F102

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FDP023N08B_F102概述

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP023N08B_F102, 242 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor


欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP023N08B_F102, 242 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin TO-220 Rail


FDP023N08B_F102中文资料参数规格
技术参数

上升时间 71 ns

输入电容Ciss 10350pF @37.5VVds

下降时间 56 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 245 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.38 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: FDP023N08B_F102
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP023N08B_F102, 242 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装

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