IRFSL7537PBF

IRFSL7537PBF图片1
IRFSL7537PBF图片2
IRFSL7537PBF图片3
IRFSL7537PBF图片4
IRFSL7537PBF图片5
IRFSL7537PBF图片6
IRFSL7537PBF图片7
IRFSL7537PBF图片8
IRFSL7537PBF图片9
IRFSL7537PBF图片10
IRFSL7537PBF图片11
IRFSL7537PBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 173A TO262


立创商城:
N沟道 60V 173A


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


贸泽:
MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power


e络盟:
# INFINEON  IRFSL7537PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 173A, TO-262-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin TO-262 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


Newark:
# INFINEON  IRFSL7537PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V


IRFSL7537PBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.00275 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

阈值电压 3.7 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 173A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 7020pF @25VVds

下降时间 84 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.65 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRFSL7537PBF
型号: IRFSL7537PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司