










HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
立创商城:
N沟道 60V 173A
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
贸泽:
MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
e络盟:
# INFINEON IRFSL7537PBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 173A, TO-262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin TO-262 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
Newark:
# INFINEON IRFSL7537PBF MOSFET Transistor, N Channel, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.00275 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 230 W
阈值电压 3.7 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 173A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 7020pF @25VVds
下降时间 84 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.65 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17