IRF2204PBF

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IRF2204PBF概述

INFINEON  IRF2204PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 40 V, 3.6 mohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET,40V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2204PBF, 210 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装


立创商城:
N沟道 40V 210A


得捷:
IRF2204 - 75A, 40V, 0.0036OHM, N


贸泽:
MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 40 V, 0.0036 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB


IRF2204PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 330 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0036 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 4 V

输入电容 5890 pF

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 210A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 5890pF @25VVds

额定功率Max 330 W

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF2204PBF
型号: IRF2204PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRF2204PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 40 V, 3.6 mohm, 10 V, 4 V
替代型号IRF2204PBF
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