











INFINEON IRF2204PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 40 V, 3.6 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET,40V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2204PBF, 210 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
立创商城:
N沟道 40V 210A
得捷:
IRF2204 - 75A, 40V, 0.0036OHM, N
贸泽:
MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 40 V, 0.0036 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB
额定功率 330 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
阈值电压 4 V
输入电容 5890 pF
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 210A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 5890pF @25VVds
额定功率Max 330 W
下降时间 110 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 330W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF2204PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF2804PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF2204PBF和IRF2804PBF的区别 |