











INFINEON IRFB3307ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,
### 电动机控制 MOSFET
Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
### 同步整流器 MOSFET
同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3307ZPBF, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
立创商城:
N沟道 75V 120A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON IRFB3307ZPBF MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 75V 128A 5,8mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
额定功率 230 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 N-CH
耗散功率 230 W
阈值电压 4 V
输入电容 4750 pF
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 64 ns
输入电容Ciss 4750pF @50VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, Battery Operated Drive, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFB3307ZPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF2807ZPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFB3307ZPBF和IRF2807ZPBF的区别 |