






单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
表面贴装型 N 通道 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
欧时:
MOSFET HEXFET N-Ch 75V 128A D2PAK
立创商城:
N沟道 75V 120A
贸泽:
MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0046 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 128A 3-Pin D2PAK T/R
Chip1Stop:
MOSFET
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
额定功率 230 W
针脚数 3
漏源极电阻 5.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 230 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 64 ns
输入电容Ciss 4750pF @50VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Battery Operated Drive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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IRFS3307ZPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFS3307ZTRLPBF和IRFS3307ZPBF的区别 |
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