IRF6616TRPBF

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IRF6616TRPBF概述

INFINEON  IRF6616TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 40 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.8 V 新

表面贴装型 N 通道 40 V 19A(Ta),106A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET™ MX


得捷:
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET


欧时:
Infineon MOSFET IRF6616TRPBF


立创商城:
N沟道 40V 19A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 40 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 19A; 89W; DirectFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R


Newark:
# INFINEON  IRF6616TRPBF  MOSFET, N-CH, 40V, 106A, DIRECTFET MX-7


儒卓力:
**N-CH 40V 106A 3,7mOhm DirectFET **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET


IRF6616TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 89 W

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 0.0037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 89 W

阈值电压 1.8 V

输入电容 3765 pF

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 3765pF @20VVds

下降时间 4.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 Direct-FET

外形尺寸

长度 5.45 m

封装 Direct-FET

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF6616TRPBF
型号: IRF6616TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRF6616TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 40 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.8 V 新
替代型号IRF6616TRPBF
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