




INFINEON IRF6616TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 40 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.8 V 新
表面贴装型 N 通道 40 V 19A(Ta),106A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET™ MX
得捷:
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
欧时:
Infineon MOSFET IRF6616TRPBF
立创商城:
N沟道 40V 19A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 40 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 19A; 89W; DirectFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Newark:
# INFINEON IRF6616TRPBF MOSFET, N-CH, 40V, 106A, DIRECTFET MX-7
儒卓力:
**N-CH 40V 106A 3,7mOhm DirectFET **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
额定功率 89 W
通道数 1
针脚数 7
漏源极电阻 0.0037 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
阈值电压 1.8 V
输入电容 3765 pF
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 3765pF @20VVds
下降时间 4.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
长度 5.45 m
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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