IRF3808STRRPBF

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IRF3808STRRPBF概述

D2PAK N-CH 75V 106A

Benefits:

.
RoHS Compliant
.
Industry-leading quality
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Dynamic dv/dt Rating
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Fast Switching
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Fully Avalanche Rated
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175°C Operating Temperature

得捷:
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK


立创商城:
IRF3808STRRPBF


贸泽:
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 106A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 106A; 200W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS


IRF3808STRRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

通道数 1

漏源极电阻 7 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 106A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 5310pF @25VVds

下降时间 120 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IRF3808STRRPBF
型号: IRF3808STRRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:D2PAK N-CH 75V 106A
替代型号IRF3808STRRPBF
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