IRF3808STRLPBF

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IRF3808STRLPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


得捷:
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 0.0059 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 106A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 75V 105A 7mOhm TO263 **


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK


IRF3808STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0059 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 106A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 5310pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 120 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.3 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

IRF3808STRLPBF引脚图与封装图
IRF3808STRLPBF引脚图
IRF3808STRLPBF封装图
IRF3808STRLPBF封装焊盘图
在线购买IRF3808STRLPBF
型号: IRF3808STRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRF3808STRLPBF
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当前型号

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