AUIRF3808S

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AUIRF3808S概述

INFINEON  AUIRF3808S  晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 0.0059 ohm, 10 V, 2 V

汽车 N 通道功率 MOSFET,

Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

AUIRF3808S中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0059 Ω

极性 N-CH

耗散功率 200 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 106A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 5310pF @25VVds

下降时间 120 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买AUIRF3808S
型号: AUIRF3808S
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  AUIRF3808S  晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 0.0059 ohm, 10 V, 2 V
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