INFINEON AUIRF3808S 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 0.0059 ohm, 10 V, 2 V
汽车 N 通道功率 MOSFET,
Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 200 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0059 Ω
极性 N-CH
耗散功率 200 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 106A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 5310pF @25VVds
下降时间 120 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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