晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 40 V, 700 µohm, 10 V, 2.8 V
表面贴装型 N 通道 46A(Ta),375A(Tc) 3.8W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
得捷:
MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
立创商城:
N沟道 40V 270A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 40 V, 700 µohm, 10 V, 2.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
富昌:
IRF7739L2TRPBF Series 40 V 46 A 1 mOhm Direcfect Power Mosfet - DIRECTFET L8
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
儒卓力:
**N-CH 40V 190A 0,7mOhm DiFET2 L8 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8
额定功率 125 W
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 46A
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 11880pF @25VVds
下降时间 42 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 15
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF7739L2TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7739L2TR1PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF7739L2TRPBF和IRF7739L2TR1PBF的区别 |