IRF8301MTRPBF概述
INFINEON IRF8301MTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 192 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 V 新
Benefits:
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- Ultra-low RDSon
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- Low Profile less than 0.7 mm
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- Dual Sided Cooling Compatible
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- Ultra-low Package Inductance
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- Optimized for high speed switching or high current switch Power Tool
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- Low Conduction and Switching Losses
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- Compatible with existing Surface Mount Techniques
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- StrongIRFET™
IRF8301MTRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 89 W
针脚数 7
漏源极电阻 0.0013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 34A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 6140pF @15VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Load Switch High Side, Push-Pull, Isolated Primary Side MOSFETs, Point of Load SyncFET, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Protection, Full-Bridge, Battery Operated Drive, Load Switch Low Side
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
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型号： IRF8301MTRPBF
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IRF8301MTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 192 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 V 新