INFINEON IRF3808SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 7 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 200 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.007 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 106A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 5310pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 120 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.43 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF3808SPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFS3207ZPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF3808SPBF和IRFS3207ZPBF的区别 |
IRF3808STRLPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF3808SPBF和IRF3808STRLPBF的区别 |
IRF3808STRRPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF3808SPBF和IRF3808STRRPBF的区别 |