INFINEON IRL40B215 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V 新
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,
是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。
最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V
适用于电池供电系统
应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
针脚数 3
漏源极电阻 0.0022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 143 W
阈值电压 2.4 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 164A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 5225pF @25VVds
下降时间 62 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 143W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99