PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
立创商城:
FDB047N10
欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB047N10, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 164A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
FDB047N10 系列 100 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.0039 Ω
耗散功率 375 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 386 ns
输入电容Ciss 11500pF @25VVds
额定功率Max 375 W
下降时间 244 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 通信与网络, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDB047N10 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
PSMN5R0-100BS 恩智浦 | 功能相似 | FDB047N10和PSMN5R0-100BS的区别 |