FDB047N10

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FDB047N10概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK


立创商城:
FDB047N10


欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB047N10, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 164A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
FDB047N10 系列 100 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet - D2PAK-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


FDB047N10中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0039 Ω

耗散功率 375 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 386 ns

输入电容Ciss 11500pF @25VVds

额定功率Max 375 W

下降时间 244 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.33 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 通信与网络, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

FDB047N10引脚图与封装图
FDB047N10引脚图
FDB047N10封装图
FDB047N10封装焊盘图
在线购买FDB047N10
型号: FDB047N10
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDB047N10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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当前型号

PSMN5R0-100BS

恩智浦

功能相似

FDB047N10和PSMN5R0-100BS的区别

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