IRFS3107TRLPBF

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IRFS3107TRLPBF概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 195A(Tc) 370W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK


欧时:
MOSFET HEXFET N-Ch 75V 230A D2PAK


立创商城:
N沟道 75V 195A


贸泽:
MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 230A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IRFS3107TRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 370 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 370 W

阈值电压 4 V

输入电容 9370 pF

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 230A

上升时间 220 ns

输入电容Ciss 9370pF @50VVds

下降时间 130 ns

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 370W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Battery Operated Drive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFS3107TRLPBF
型号: IRFS3107TRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 4 V
替代型号IRFS3107TRLPBF
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