



功率MOSFET的30 V , 171 A单N沟道, SO- 8 FL Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL
表面贴装型 N 通道 17A(Ta),171A(Tc) 950mW(Ta),96.2W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
得捷:
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
贸泽:
MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 47A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R
Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 30V 47A SOIC8-8 FL
通道数 1
漏源极电阻 2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 96.2 W
阈值电压 1.5V ~ 2.5V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 5660pF @15VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 950mW Ta, 96.2W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SO-FL-8
封装 SO-FL-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTMFS4897NFT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTMFS4897NFT1G 安森美 | 功能相似 | NTMFS4897NFT3G和NTMFS4897NFT1G的区别 |