NTMFS4897NFT3G

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NTMFS4897NFT3G概述

功率MOSFET的30 V , 171 A单N沟道, SO- 8 FL Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL

表面贴装型 N 通道 17A(Ta),171A(Tc) 950mW(Ta),96.2W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN


贸泽:
MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 47A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 30V 47A SOIC8-8 FL


NTMFS4897NFT3G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 96.2 W

阈值电压 1.5V ~ 2.5V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 5660pF @15VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 950mW Ta, 96.2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SO-FL-8

外形尺寸

封装 SO-FL-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NTMFS4897NFT3G
型号: NTMFS4897NFT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:功率MOSFET的30 V , 171 A单N沟道, SO- 8 FL Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL
替代型号NTMFS4897NFT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NTMFS4897NFT3G

ON Semiconductor 安森美

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当前型号

NTMFS4897NFT1G

安森美

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NTMFS4897NFT3G和NTMFS4897NFT1G的区别

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