IRF2805STRLPBF

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IRF2805STRLPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK


立创商城:
N沟道 55V 135A


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 135 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 135A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 55V 135A 4,7mOhm TO263 **


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK


IRF2805STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0039 Ω

极性 N-CH

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

输入电容 5110 pF

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 135A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 5110pF @25VVds

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF2805STRLPBF
型号: IRF2805STRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRF2805STRLPBF
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