NVB5860NLT4G

NVB5860NLT4G图片1
NVB5860NLT4G图片2
NVB5860NLT4G图片3
NVB5860NLT4G图片4
NVB5860NLT4G图片5
NVB5860NLT4G图片6
NVB5860NLT4G图片7
NVB5860NLT4G图片8
NVB5860NLT4G图片9
NVB5860NLT4G概述

N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

N 通道功率 MOSFET,60V,


得捷:
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVB5860NLT4G, 220 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then ON Semiconductor&s;s NVB5860NLT4G power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 283000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.


Allied Electronics:
NVB5860NLT4G N-channel MOSFET Transistor, 220 A, 60 V, 3-Pin D2PAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 220A 3-Pin D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK


NVB5860NLT4G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 283 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 220A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 13216pF @25VVds

下降时间 144 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 283W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NVB5860NLT4G
型号: NVB5860NLT4G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
替代型号NVB5860NLT4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NVB5860NLT4G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

FDB024N06

安森美

类似代替

NVB5860NLT4G和FDB024N06的区别

NVB5860NT4G

安森美

类似代替

NVB5860NLT4G和NVB5860NT4G的区别

IRFS7530TRLPBF

英飞凌

功能相似

NVB5860NLT4G和IRFS7530TRLPBF的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台