N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
N 通道功率 MOSFET，60V，
### MOSFET ，ON Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVB5860NT4G, 220 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
贸泽:
MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Allied Electronics:
NVB5860NT4G N-channel MOSFET Transistor, 220 A, 60 V, 3-Pin D2PAK
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 220A 3-Pin D2PAK T/R
漏源极电阻 3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 283W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 220A
上升时间 117 ns
输入电容Ciss 10760pF @25VVds
下降时间 150 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 283W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NVB5860NT4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NVB5860NLT4G 安森美 | 类似代替 | NVB5860NT4G和NVB5860NLT4G的区别 |
FDB024N06 安森美 | 类似代替 | NVB5860NT4G和FDB024N06的区别 |
IRFS7530TRLPBF 英飞凌 | 功能相似 | NVB5860NT4G和IRFS7530TRLPBF的区别 |